压电薄膜传感器压力感应情况如何

因为压电薄膜传感器的电介质的击穿场强是强度参数，并且在压电薄膜传感器的膜中不可避免地存在各种缺陷，所以压电膜的击穿场强具有相当大的分散性;电介质介质的击穿理论，对于完整的薄膜，随着薄膜厚度的减小，击穿场强应逐渐增加。
然而，在实践中，由于压电薄膜传感器的膜含有许多缺陷，因此厚度越小，缺陷的影响越显着。因此，当厚度减小到一定值时，膜的击穿场强度急剧下降。对于压电薄膜传感器薄膜击穿场强，除了薄膜本身外，在测试过程中还存在电极边缘的影响。膜越厚，电极边缘处的电场越不均匀，因此膜的厚度增加，击穿场强度逐渐减小。
除了上述因素之外，压电薄膜传感器介电膜的击穿场强也取决于膜结构。对于压电薄膜，击穿场强度也取决于电场的方向，即就击穿场强而言它也是各向异性的。由于压电薄膜传感器多晶膜具有晶界，因此其击穿场强度低于非晶膜的击穿场强度。由于类似的原因，优先取向的压电薄膜传感器在晶粒取向方向上的穿透场强高于在垂直方向上的穿透场强。击穿场强度较低。
与其他介电压电薄膜传感器一样，压电薄膜的击穿场强也取决于外部因素，如电压波形、频率、温度和电极。因为压电薄膜的击穿场强与许多因素有关，所以相关文献中的击穿场强度对于同一薄膜通常不一致或甚至不同。例如，ZnO膜的击穿场强为0.01。 ~0.4MV / cm，AlN膜为0.5至6.0MV / cm。
压电薄膜传感器重要的特征参数是谐振频率f0，声阻抗Za和机电耦合系数K，因此声速υ和温度系数、的声阻抗和压电薄膜的机电耦合系数是特别严格。压电薄膜传感器的薄膜的性质不仅取决于薄膜中颗粒的弹性，还取决于介电薄膜的压电和热性能，以及压电薄膜传感器的结构，如颗粒堆的紧密度和优先取向的程度。在压电薄膜中，由于晶粒具有许多缺陷和应变，因此它不是完单晶，因此薄膜的物理常数与晶体值略有不同。
由于压电薄膜的微结构与制备过程密切相关，即使对于相同的压电薄膜，各种文献中的性能值也常常不一致。在所有无机有色金属压电薄膜中，AlN薄膜具有大的弹性常数，小的密度和大的声速，因此该薄膜适合于UHF和微波器件。
表面声波性能当声波在压电介质中传播时，其粒子位移幅度随着距介质表面的距离的增加而迅速衰减。因此，表面声波能量主要集中在表面的下两个波长的范围内。
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